零(ling)點(dian)熱(re)漂移(yi)是影響壓力傳感器性能(neng)的(de)重要指標，但這種情況的(de)原(yuan)因有(you)多(duo)種，例(li)如應變(bian)片(pian)的(de)橡(xiang)膠層中有(you)氣(qi)泡(pao)或雜質，或者應變(bian)片(pian)本身(shen)的(de)性能(neng)不穩定(ding)，或者電路中有(you)假點(dian)。 零點熱漂移只取決于力敏電阻的不均勻性及其溫度非線性，實際上零點熱漂移還與力敏電阻的反向漏電有關。這一點上，多晶硅可以吸附去除基板中的重金屬雜質，降低力敏電阻的反向漏電流，改善零點熱漂移，提高傳感器的性能。
那么(me)怎樣(yang)又能縮小和修正電(dian)漂移(yi)，零點電(dian)漂移(yi)除了影響壓力(li)傳感器的測量精(jing)度(du)，降低靈敏度(du)外，還有什么(me)重要的影響呢？
利用(yong)零點(dian)(dian)(dian)漂(piao)(piao)(piao)移(yi)可以消除壓(ya)力傳感器的(de)熱零點(dian)(dian)(dian)漂(piao)(piao)(piao)移(yi)。零點(dian)(dian)(dian)漂(piao)(piao)(piao)移(yi)是指放(fang)大器的(de)輸入端(duan)短路(lu)時(shi)，輸入端(duan)產生(sheng)不規則(ze)、變(bian)化緩慢的(de)電(dian)壓(ya)的(de)現象。零點(dian)(dian)(dian)漂(piao)(piao)(piao)移(yi)的(de)主要原因是溫(wen)度變(bian)化對晶體管參數的(de)影響(xiang)(xiang)和電(dian)源電(dian)壓(ya)的(de)變(bian)動等(deng)，很(hen)多放(fang)大器受(shou)前級零點(dian)(dian)(dian)漂(piao)(piao)(piao)移(yi)的(de)影響(xiang)(xiang)較大，級數越(yue)多，另(ling)外放(fang)大率越(yue)大零點(dian)(dian)(dian)漂(piao)(piao)(piao)移(yi)越(yue)嚴重。
漂移的(de)大小主要在于應變材(cai)料的(de)選擇，材(cai)料的(de)結(jie)構和組成決定(ding)了其穩定(ding)性和熱敏(min)性。
選材后的(de)加工制造(zao)也(ye)很重要(yao)，工藝(yi)不(bu)同，就會(hui)產生不(bu)同效果的(de)應(ying)變值。重要(yao)的(de)是，在經過一些老化等調節后，橋值的(de)穩定和程(cheng)定律的(de)變化也(ye)存在。
漂移的(de)調節手段很多，很多是根據(ju)制(zhi)造商(shang)的(de)條件和(he)(he)生產需求決定的(de)，很多制(zhi)造商(shang)很好地(di)控制(zhi)了(le)零點漂移。溫度調節可以通過(guo)內部溫度電阻和(he)(he)制(zhi)熱(re)零靈敏(min)度電阻進(jin)行補償、劣化(hua)等(deng)。
在采用電路(lu)變(bian)換的(de)變(bian)壓器(qi)中，電路(lu)部(bu)分的(de)漂(piao)移可以通過(guo)選擇好的(de)部(bu)件、設計更合(he)適的(de)電路(lu)來進行補(bu)償。
應變材(cai)料選(xuan)擇靈(ling)敏度系數高、溫度變化(hua)小的材(cai)料。
